CADモデル
製造元 ROHM DTDG14GPT100 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1995-04-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
関連部品
ROHM2SC5053T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemiNSM4002MR6T1G
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V, 45V 200mA, 500mA 300MHz, 100MHz
ROHM2SC5053T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NXP SemiconductorsBC846AT,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 110 @ 2mA 5V 100mA 150mW 100MHz
NXP SemiconductorsBC847AT,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110
説明
ROHM DTDG14GPT100の詳細は販売業者から提供されます。
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Digital BJT NPN 70V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
DTDG14GP Series 60 V 1 A Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-62
400mV@ 5mA,500mA NPN - Pre-Biased 2W 5V 500nA 60V 1A MPT-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm
Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:300; ft, Typ:80MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD
TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:1A; Base Input Resistor R1:-; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:-; RF Tra
TRANSISTOR; DIGITAL;POWER;MPT;NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 1A; Base Input Resistor R1: -; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-89; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTDG14G Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 80MHz; Hfe Min: 300; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 500mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 80MHz
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min300
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current1 A
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage60 V
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency80 MHz
Voltage Rating (DC)60 V