CADモデル
ピンテーブル
番号
カテゴリー
表示名と機能
モデル情報
| 提供： | Renesas |
|---|---|
| リリース日 | Aug 14, 2025 |
| IPC準拠 | IPC-7351B |
| スタイルガイドの改訂 | バージョン 1.0 - Nov 1, 2024 |
| データシートソース | バージョン 1.00 - Jun 10, 2022 |
検証
この部品のスタイルガイドとデータシートに基づいて、3人の独立した電子工学の専門家が以下を作成しました。
- シンボルと2Dフットプリントの3つのバージョン
- 3D STEPモデルの1バージョン（STEP形式AP-214）
- メーカー向けのカラーパレット構成
作成されたすべてのライブラリファイルはレイヤーマッピングに依存せず、設計に簡単にマッピングできます。
作成されたシンボルとフットプリントは、次のチェックを使用して比較されます。
シンボル
自動チェック
- 部品番号
- 主要パラメーター
- パッケージコード
- ピン名/番号
- ピンの種類
手動チェック
- スタイルガイドに従ったピンの構成
フットプリント
自動チェック
- IPC規格
- シルクスクリーンクリアランス
- コートヤードの超過
- パッケージのアウトライン
- 極性マーキング
- パッドのサイズと位置の検証
3D STEPモデル
手動チェック
- 寸法の検証
- カラーパレット準拠
- フォーマット準拠
- 2Dフットプリントへの方向のマッピング
- 2Dフットプリントへの位置検証
最終的な検証プロセスが実行されます。
シンボルとフットプリントが一致する場合：部品はECAD対応として検証されました
シンボルとフットプリントが一致しない場合：上級電子エンジニアがすべての違いを確認し、部品がスタイルガイドとデータシートの要件を満たしていることを確認します
代替部品
Price @ 1000
$ 2.766
$ 2.681
Stock
216,357
45,473
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
-100 A
-100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-20 V
-20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
15 nF
15 nF
サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095
Introduction Date2007-05-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)
説明
Renesas NP100P06PDG-E1-AYの詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
Renesasは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Renesas は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Renesas Electronics
- Renesas Electronics America Inc
- Renesas Electronics America
- RENESA
- REN
- RENES
- RENESAS TECHNOLOGY CORP
- RENESAS TECHNOLOGY
- Renesas Electronics Corporation
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- RENSAS
- RENASAS
- Renesas / Intersil
- RNS
- RENESAS-PB
- RENESASTEC
- RENESES
- Renesas Technology America
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas / IDT
- RENESASE
- RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- RENEASAS
- RENESAS/M
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263
MSL1
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)-100 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time100 ns
Part FamilyNP100P06PDG
Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V
Input Capacitance15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time275 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.65 mm
Length10 mm
Width9 mm
ドキュメント
Renesas NP100P06PDG-E1-AYのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート3年前
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント