CADモデル
製造元 onsemi TIP42C のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
説明
onsemi TIP42Cの詳細は販売業者から提供されます。
Bulk Through Hole PNP TIP42 Bipolar (BJT) Transistor 15 @ 3A 4V 6A 2W 3MHz
TIP Series PNP 100 V 6 A Flange Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3
Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Power Dissipation, Pd:65W; DC Current Gain Min (hfe):15; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:6A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 65W; DC Collector Current: -6A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Transist
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Collector Current6 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント