onsemi PZT2222AT1G

Name: onsemi PZT2222AT1G
Brand: onsemi
SKU: PZT2222AT1G

Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223

$ 0.177

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	45J2214	6,050	1		0.700	0.431	0.276	0.209	0.209	17h
Newark	2	PZT2222AT1G	6,050	1	Cut Tape	0.700	0.431	0.276	0.209	0.209
Arrow Electronics	3	PZT2222AT1G	1,169	1		0.697	0.429	0.275	0.177	0.177
Verical	4	PZT2222AT1G	79,000	1K					0.181	0.181
Future Electronics	5	PZT2222AT1G	76,000	1K	Tape & Reel				0.178	0.169

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onsemi

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Upverter

IHS

Master Electronics

Farnell

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部品

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onsemiPZT2222AT1G

onsemiPZT2222AT3G

Price @ 1000

$ 0.177

$ 0.183

Stock

3,301,987

635,268

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-223-4

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

300 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

hFE Min

Power Dissipation

1.5 W

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1994-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi PZT2222AT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223

Jameco

TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, SWITCHING, VCEO 40VDC, IC 600MA, PD 1.5W, SOT-223,HFE 40

RS (Formerly Allied Electronics)

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount

Avnet

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA

Semicontronic

PZT2222A Series 40 V 600 mA NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor - SOT-223

Future Electronics

Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V NPN

Component Sense

General Purpose Transistors NPN Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=1.5W SOT223

HQonline

This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications.

North Star Micro

TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 1.5W; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transistor Cas

Farnell

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 600 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 40 / DC Current Gain (hFE) = 35 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 75 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 1.5 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 2 / Reflow Temperature Max. °C = 260

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