CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.037
$ 0.087
$ 0.087
Stock
109,262
646,872
646,872
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2004-07-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
関連部品
onsemiMPS2222RLRA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiMPS2222RLRAG
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
説明
onsemi PN2222TAの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
PN2222 Series 30V 600 mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
NPN Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min35
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current600 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height8.77 mm