CADモデル
製造元 onsemi NVMFS5C604NLWFAFT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 3.02
$ 2.894
$ 2.894
Stock
398,838
920,641
920,641
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
287 A
287 A
287 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.9 W
3.9 W
3.9 W
Input Capacitance
-
-
-
サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NVMFS5C604NLWFAFT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 287A, 1.2mΩ 1500 / Tape & Reel. Wettable Flanks
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
200W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 52nC@ 4.5 V 1N 60V 1.2m¦¸@ 50A,10V 287A 8.9nF@25V SO 5.1mm
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN / N-Channel 60 V 287A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Power Field-Effect Transistor, 287A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOS Power Transistors LV ( 41V-100V)
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)287 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.9 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time57.8 ns
Turn-On Delay Time21.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm