CADモデル
製造元 onsemi NTP5862NG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-01
LTD Date2021-04-01
関連部品
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
NXP SemiconductorsBUK754R7-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F / Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
InfineonIPP100N06S2L05AKSA2
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
説明
onsemi NTP5862NGの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
20V 4V@ 250¦ÌA 82nC@ 10 V 1N 60V 5.7m¦¸@ 45A,10V 98A 6nF@25V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
60V 98A 4.4m´Î@10V45A 115W 4V@250uA 300pF@25V N Channel 5.05nF@25V 82nC@10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation115 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time35 ns