CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP80N6F6 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
関連部品
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
NXP SemiconductorsBUK753R5-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPP80N06S407AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
説明
STMicroelectronics STP80N6F6の詳細は販売業者から提供されます。
STP80N6F6 N-channel MOSFET Transistor, 110 A, 60 V, 3-Pin TO-220
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
120W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 122nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 5.8mΩ@ 50A,10V 110A 7.48nF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.48 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max5.8 mΩ
Resistance5 mΩ
Schedule B8541290080
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm