データシート & ドキュメント
onsemi NTP18N06LGのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート3年前
CADモデル
製造元 onsemi NTP18N06LG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.432
$ 0.79
$ 0.79
Stock
568,503
175,454
175,454
Authorized Distributors
2
3
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
16 A
16 A
Threshold Voltage
-
1 V
1 V
Rds On Max
100 mΩ
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
16 V
16 V
Power Dissipation
48.4 W
45 W
45 W
Input Capacitance
440 pF
345 pF
345 pF
説明
onsemi NTP18N06LGの詳細は販売業者から提供されます。
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 42ns
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:15A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.6V ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating15 A
Drain to Source Breakdown Voltage70 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance440 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48.4 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation48.4 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time121 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.85 mm