価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTMD3P03R2 | 183,173 | 1304 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTMD3P03R2 | 185,434 | 21h | |||||||||
| Avnet | NTMD3P03R2 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | NTMD3P03R2 | 222 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Component Stockers USA | NTMD3P03R2 | 152,884 | >1wk |
CADモデル
製造元 onsemi NTMD3P03R2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.23
$ 0.518
Stock
1,007,685
1,002,961
Authorized Distributors
3
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.34 A
2.34 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
730 mW
2 W
Input Capacitance
-
750 pF
説明
onsemi NTMD3P03R2の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 3.86A 8-Pin SOIC N
MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC / Mosfet Array
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 3.05A P-Channel No-Cancel/No-Return
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.34A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE 8 AVALANCHE RATED Mosfet Array 2.34A 0.73W 30V 0.085Ohm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.34 A
Current Rating-3.05 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation730 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation730 mW
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm