onsemi NTJD4152PT1G

Name: onsemi NTJD4152PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD4152PT1G

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V -0.88A 260mΩ

$ 0.128

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	NTJD4152PT1G	3,000	3K						0.063	22h
Verical		NTJD4152PT1G	1,334	12				0.385	0.385	0.385
Arrow Electronics	2	NTJD4152PT1G	1,334	1		0.103	0.103	0.103	0.103	0.103
Future Electronics	4	NTJD4152PT1G	21,000	3K	Tape & Reel					0.105
Rochester Electronics		NTJD4152PT1G	3,000					0.077	0.064	0.057	20h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi NTJD4152PT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V -0.88A 260mΩ

onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 / Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Win Source

MOSFET, DUAL P-CH, VDSS -20V, RDS(ON) 215 MILLIOHMS, ID -0.88A, SC-88/SOT-363,GFS 3S

RS (Formerly Allied Electronics)

Dual P-Channel 20 V 215 mOhm 272 mW Surface Mount Small Signal MOSFET SOT-363

Future Electronics

PFET SC88 0.88MA 20V TR; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: 880mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.215ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.2V;

Farnell

P Channel Mosfet, -20V, Sot-363; Transistor, Polaridad:Canal P Dual; Intensidad Drenador Continua Id:880Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.215Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Onsemi NTJD4152PT1G

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