onsemi NVJD4401NT1G

Name: onsemi NVJD4401NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVJD4401NT1G

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 0.226

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	NVJD4401NT1G	2,883	5	Cut Tape		0.620	0.427	0.386	0.386
Verical		NVJD4401NT1G	33,000	1585						0.211
Rochester Electronics		NVJD4401NT1G	33,000					0.228	0.189	0.169	21h
DigiKey	3	NVJD4401NT1GOSCT-ND	27,075	1	Cut Tape	0.940	0.586	0.380	0.263	0.263
Onlinecomponents.com		NVJD4401NT1G	0	100	Bulk			0.200	0.184	0.170

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IHS

Datasheet7ページ7年前

Upverter

Master Electronics

onsemi

Farnell

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-08-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi NVJD4401NT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.91A 6-Pin SOT−363 T/R

Avnet Japan

Dual N−Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 20 V, 0.63A, 375mΩ Small Signal MOSFET 20V 630mA 375 mOhm Dual N-Channel SC88 with ESD Protection

onsemi

MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.63A, 150DEG C; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 630mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltag

Farnell

画像

Newark

LZChips

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Number of Pins6

Technical

Continuous Drain Current (ID)910 mA

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Element ConfigurationDual

Fall Time506 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance46 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation550 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation550 mW

Rds On Max375 mΩ

Rise Time227 ns

Schedule B8541210080

Turn-Off Delay Time786 ns

Turn-On Delay Time83 ns

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