価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTHD4502NT1 | 3,000 | 2104 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTHD4502NT1 | 350,475 | 3h | |||||||||
| Win Source | WS-NTHD4502NT1 | 19,022 | 235 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTHD4502NT1 | 6,903 | 7 | Tape & Reel | 3h | |||||||
| Fmall Co., Limited | NTHD4502NT1 | 12,960 | >1wk |
CADモデル
製造元 onsemi NTHD4502NT1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.143
$ 0.253
Stock
1,180,721
665,516
Authorized Distributors
2
4
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SMD/SMT
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.2 A
2.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
85 mΩ
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.13 W
1.13 W
Input Capacitance
140 pF
140 pF
説明
onsemi NTHD4502NT1の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 3.9A Dual No-Cancel/No-Return
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Array 7nC @ 10V 2.2A 640mW 5.4ns
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating3.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.13 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.13 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time5.4 ns
Turn-Off Delay Time14.6 ns
Voltage Rating (DC)30 V