データシート & ドキュメント
onsemi NTD4809N-35Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート1年前
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.208
$ 0.186
$ 0.186
Stock
294,713
509,331
509,331
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-251-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
1.456 nF
2.155 nF
2.155 nF
サプライチェーン
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiNTD4809NA-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 30V
onsemiNTD4809NA-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 2.3ns
説明
onsemi NTD4809N-35Gの詳細は販売業者から提供されます。
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 58A 2W 2.8ns
Single N-Channel Power MOSFET 30V 58A 9mΩ
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 58A 9MOHM
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
9 A 30 V 0.014 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.456 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time22.7 ns
Turn-Off Delay Time25.3 ns
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント