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代替部品

部品

代替部品

onsemiNJVMJD32CT4G

STMicroelectronicsMJD32CT4

Price @ 1000

$ 0.291

$ 0.261

Stock

686,719

2,368,015

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

3 A

Transition Frequency

3 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

hFE Min

Power Dissipation

15 W

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi NJVMJD32CT4Gの詳細は販売業者から提供されます。

TRANS PNP 100V 3A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK

Win Source

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Semicontronic

3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor

onsemi

ON Semi NJVMJD32CT4G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin DPAK

Jak Electronics

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

MJD Series 100 V 3 A Tab Mount PNP Complementary Power Transistor - TO-252

Future Electronics

onsemi PNPTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current-3 A, maximum collector-emission voltage-100 V

UnikeyIC

画像

Augswan

TME

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

NJVMJD32CT4G.

在庫履歴

3か月間の傾向 : -6.68%

CADモデル

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代替部品

1点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage100 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V

Continuous Collector Current3 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency3 MHz

Gain Bandwidth Product3 MHz

hFE Min10

Max Breakdown Voltage100 V

Max Collector Current3 A

Max Frequency1 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation15 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation15 W

Transition Frequency3 MHz

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

データシート & ドキュメント

onsemi NJVMJD32CT4Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。