onsemi NGTB25N120SWG

Name: onsemi NGTB25N120SWG
Brand: onsemi
SKU: NGTB25N120SWG

Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	NGTB25N120SWG	0	1		1.843*	1.843*	1.843*	1.843*	1.843*	19h
Win Source	WS-NGTB25N120SWG	2,520	5			12.774	8.517	8.517	8.517	20h
Worldway Electronics	NGTB25N120SWG	19,354	7	Tube		1.415	1.388	1.334	1.308	20h
Aztech	NGTB25N120SWG	6,533			1.190	1.190	1.190	1.190	1.190	13h
SHENGYU ELECTRONICS	NGTB25N120SWG	15,632	1		1.475	1.445	1.400	1.360	1.300	14h

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IHS

Datasheet6ページ8年前

element14 APAC

onsemi

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サプライチェーン

Country of OriginVietnam

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-11-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)

LTB Date2019-04-18

LTD Date2019-10-18

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

説明

onsemi NGTB25N120SWGの詳細は販売業者から提供されます。

Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes

Newark

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3

element14 APAC

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 385W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin

Farnell