価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MUN5313DW1T1G | 2,550 | 33K | 1d | ||||||||
| Newark | MUN5313DW1T1G | 1,650 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | MUN5313DW1T1G | 341 | 15h | |||||||||
| DigiKey | MUN5313DW1T1GOSCT-ND | 790 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | MUN5313DW1T1G | 2,550 | 7d |
CADモデル
製造元 onsemi MUN5313DW1T1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMUN5213DW1T1G
Bipolar Transistors (BJT); MUN5213DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 50 V; 100 mA
onsemiMUN5213DW1T3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiMUN5214DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
説明
onsemi MUN5313DW1T1Gの詳細は販売業者から提供されます。
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 / Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
COMPLEMENTARY BIAS RESISTOR TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
MUN5313DW1 Series 50 V 100 mA Complementary Bias Resistor Transistor - SOT-363
Brt Transistor, 50V, 47K/47Kohm, Sc88; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:47Kohm Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5313DW1T1G
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation385 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation256 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント