onsemi MUN5114DW1T1G

Name: onsemi MUN5114DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5114DW1T1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

$ 0.055

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	MUN5114DW1T1G	15,000	3K						0.032	4h
Newark	3	MUN5114DW1T1G	9,189	5	Cut Tape		0.167	0.109	0.096	0.096
Verical	4	MUN5114DW1T1G	68,900	9147						0.041
Arrow Electronics	2	MUN5114DW1T1G	6,000	1		0.187	0.130	0.088	0.088	0.088
Rochester Electronics		MUN5114DW1T1G	294,379					0.040	0.033	0.029	2h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -2.65%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi MUN5114DW1T1Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Master Electronics

Datasheet8ページ8年前

IHS

onsemi

Newark

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

-2.65%

CADモデル

製造元 onsemi MUN5114DW1T1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

onsemiMUN5114DW1T1G

onsemiMUN5114DW1T1

Price @ 1000

$ 0.055

Stock

1,291,841

660,562

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

hFE Min

Power Dissipation

250 mW

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MUN5114DW1T1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

IHS

Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

MUN5114DW Series 50 V 100 mA Dual PNP Bias Resistor Transistor - SOT-363

Future Electronics

250mV@ 300¦ÌA,10mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50V 100mA SC-88-6 2mm*1.25mm*900¦Ìm

Unikeyic (ICkey)

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

TRANS, DUAL PNP, -50V, -0.1A, SOT-363; Digital Transistor Polarity: Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Continuous Collector Current Ic: -100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm

Farnell

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro