CADモデル
製造元 onsemi MMUN2213LT1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.033
$ 0.038
Stock
693,032
3,738,911
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
80
80
Power Dissipation
200 mW
246 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
関連部品
Diodes Inc.DDTC123JCA-7-F
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
onsemiFJV3104RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDTC143ZCA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 / Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
onsemiFJV3103RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiMMUN2211LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
説明
onsemi MMUN2213LT1の詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 400 mW, SOT-23, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Cut Tape (CT) Surface Mount Single 3 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 100mA 246mW 50V 150C
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 400mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; Transistor Case S
Small Signal Pre-Biased Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage, Vceo:50V; Continuous Collector Current Max.:100mA; Base Input Resistor, R1:47000ohm; Base-Emitter Resistor, R2:47000ohm RoHS Compliant: No
TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:400mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-55°C to 150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:80; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Pin Configuration:1; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:47kohm; Resistance R2:47kohm; SMD Marking:A8C; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min80
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Voltage Rating (DC)50 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
準拠ステートメント