価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | MMBTH10LT1G | 231,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | 98H0745 | 8,924 | 1 | 1d | ||||||||
| Newark | MMBTH10LT1G | 8,924 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MMBTH10LT1G | 772,161 | 11765 | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBTH10LT1G | 224 | 1 |
CADモデル
製造元 onsemi MMBTH10LT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.041
$ 0.033
$ 0.033
Stock
13,893,671
6,263,291
6,263,291
Authorized Distributors
6
4
4
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Continuous Collector Current
-
50 mA
50 mA
Collector Base Voltage (VCBO)
30 V
30 V
30 V
Frequency
650 MHz
650 MHz
650 MHz
Max Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
Transition Frequency
650 MHz
650 MHz
650 MHz
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Polarity
NPN
NPN
NPN
Gain Bandwidth Product
650 MHz
650 MHz
650 MHz
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMMBT5089LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
説明
onsemi MMBTH10LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
MMBTH Series 25 V 100 nA Surface Mount NPN Silicon VHF/UHF Transistor - SOT-23
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 / Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
25V 225mW 60@4mA,10V NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
ON SEMI MMBTH10LT1G NPN RF BIPOLAR TRANSISTOR, 0.004 A, 25 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); MMBTH10LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 25 V; 100 nA
General Purpose Transistors NPN Vceo=25V hfe=60 P=300mW SOT23
NPN Bipolar Transistor hFE ≥ 60; fT ≥ 650 MHz
MMBTH10LT1G,SS SOT23 VHF XSTR NPN 25V <AZ
onsemi NPN, SOT-23, , 4 mA, -25 V
VHF/UHF Transistor NPN 25V SOT-23
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236
RF Small Signal Bipolar Transistor
Bipolar Transistor, Npn, 25V; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:25V; Transition Frequency:650Mhz; Power Dissipation:225Mw; Continuous Collector Current:4Ma; No. Of Pins:3Pins; Dc Current Gain Hfe Min:60Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBTH10LT1G.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating4 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
Gain Bandwidth Product650 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current25 mA
Max Frequency650 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント