CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.046
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Stock
578,623
16,994,643
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Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
300 mA
300 mA
300 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
5000
10000
10000
Power Dissipation
350 mW
225 mW
225 mW
サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2019-01-26
LTD Date2019-07-26
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
関連部品
Diodes Inc.MMBTA14-7-F
MMBTA14 Series NPN 30 V 300 mW Darlington Transistor Surface Mount - SOT-23-3
Diodes Inc.BC848C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
説明
onsemi MMBTA13の詳細は販売業者から提供されます。
MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Darlington Transistor, 30V, 1.2A, SOT-23, Surface Mount
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 1.2A; DC Current Gain hFE: 5000hFE; Transistor Ca
Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):10000; Package/Case:SOT-323; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:1.2A; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:300mA; Current Ic Continuous a Max:1.2A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:MMBTA13; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Gain Bandwidth ft Min:125MHz; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:1M; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:30V
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min5000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current300 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント