onsemi MMBT2907A

Name: onsemi MMBT2907A
Brand: onsemi
SKU: MMBT2907A

Transistor General Purpose BJT PNP 60 Volt 0.8A 3-Pin SOT-23

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
element14 APAC	2	MMBT2907A	0	5	Cut Tape		0.094*	0.088*	0.056*	0.046*	5h
Farnell	3	MMBT2907A	0	5	Cut Tape		0.157*	0.073*	0.042*	0.036*	16h
Sensible Micro		MMBT2907A	11,440					0.014	0.013	0.013	5d
Component Stockers USA		MMBT2907A	59,848			0.100	0.070	0.010	0.010	0.010	>1wk
Win Source		WS-MMBT2907A	55,000	2035						0.020	17h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi MMBT2907Aのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet12ページ4年前

Datasheet0ページ0年前

Datasheet2ページ25年前

Fairchild Semiconductor

Farnell

Upverter

onsemi

CADモデル

製造元 onsemi MMBT2907A のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	シンボルフットプリント	ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

onsemiMMBT2907A

onsemiMMBT2907ALT1G

Price @ 1000

$ 0.037

Stock

386,911

114,741,953

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

-60 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

200 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

-400 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

350 mW

225 mW

サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)

LTB Date2019-07-12

LTD Date2020-07-12

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

説明

onsemi MMBT2907Aの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor General Purpose BJT PNP 60 Volt 0.8A 3-Pin SOT-23

Jameco

60V 250mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

IHS

MMBT Series PNP 1000 mW 60 V 800 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-23

Future Electronics

This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63.

Fairchild Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-400mV; Continuous Collector Current Ic Max:800mA; Current Ic Continuous a Max:800mA; Current Ic hFE:150mA; Device Marking:BT2907A; Gain Bandwidth ft Min:200MHz; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:2F; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:60V

element14 APAC