onsemi MJF15030G

Name: onsemi MJF15030G
Brand: onsemi
SKU: MJF15030G

Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 150 V, 8 A, 2 W, TO-220FP, Through Hole

$ 0.679

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet		MJF15030G	824	50			0.678	0.649	0.649	11h
Newark		MJF15030G	1,790	1	1.710	0.872	0.693	0.693	0.693
Verical	4	MJF15030G	50	9		0.634	0.634	0.634	0.634
Arrow Electronics	3	MJF15030G	50	1	0.634	0.634	0.634	0.634	0.634
Master Electronics		MJF15030G	5,040	50			0.992	0.673	0.596

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Newark

JRH Electronics

TME

Farnell

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部品

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onsemiMJF15030G

onsemiMJF15030

Price @ 1000

$ 0.679

$ 0.395

Stock

194,113

48,524

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

TO-220-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

150 V

Max Collector Current

8 A

Transition Frequency

30 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFE Min

Power Dissipation

2 W

36 W

サプライチェーン

Country of OriginSouth Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1991-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MJF15030Gの詳細は販売業者から提供されます。

Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 150 V, 8 A, 2 W, TO-220FP, Through Hole

Avnet Silica

ON Semi MJF15030G NPN Bipolar Transistor; 8 A; 150 V; 3-Pin TO-220

Utmel Electronic

MJF Series 150 V 8 A Flange Mount NPN Complementary Power Transistor - TO-220FP

Future Electronics

8.0 A, 150 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Semicontronic

Trans GP BJT NPN 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Rail

Avnet Japan

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W NPN

Digi-ic_SMART PIONEER

10Ã×A 150V 36W 8A 20@4A2V 30MHz 500mV@1A100mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

TRANSISTOR, NPN, 150V, 8A, TO220FP; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 150V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transistor

Farnell

For Isolated Package Applications Designed for general-purpose amplifier and switching applications wher mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis.

North Star Micro

Bipolar Transistor, Npn, 150V, To-220; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:150V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:36W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJF15030G.

Newark