CADモデル
製造元 onsemi MJE5730G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi MJE5730Gの詳細は販売業者から提供されます。
MJE Series 300 V 1 A PNP Silicon Plastic Power Transistor TO-220AB
1.0 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Transistor, Pnp, -300V, -1A, To-220; |Onsemi MJE5730G
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors | TRANS PNP 300V 1A TO220AB
300V 40W 1A 30@300mA10V 10MHz PNP 1V@1A200mA -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, PNP, -300V, -1A, TO-220; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: -1A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transis
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Collector Current1 A
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)-300 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント