onsemi MJD45H11G

Name: onsemi MJD45H11G
Brand: onsemi
SKU: MJD45H11G

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

$ 0.449

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MJD45H11G	9,975	40	Tube			0.535	0.505	0.485
Avnet		MJD45H11G	7,283	75				0.415	0.389	0.383	3d
Newark		MJD45H11G	995	1		1.220	0.882	0.540	0.402	0.327
Arrow Electronics	2	MJD45H11G	5,455	1		1.472	1.472	0.370	0.370	0.370
Verical	3	MJD45H11G	5,440	17				0.371	0.371	0.371

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IHS

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Newark

onsemi

TME

JRH Electronics

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部品

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onsemiMJD45H11G

onsemiMJD45H11T4G

Price @ 1000

$ 0.449

$ 0.367

Stock

889,354

6,544,677

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

TO-252-3

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

80 V

Max Collector Current

8 A

Transition Frequency

90 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

hFE Min

Power Dissipation

1.75 W

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MJD45H11Gの詳細は販売業者から提供されます。

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

IHS

Bipolar Transistors (BJT); MJD45H11G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 80 V; 8 A

Maritex

8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor

onsemi

80V 1.75W 40@4A,1V 8A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

MJD Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252-3

Future Electronics

Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP

Digi-ic_SMART PIONEER

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Verical

TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 90MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor Case Style:

Farnell

Rf Transistor, Pnp, -80V, 90Mhz, D-Pak; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD45H11G.

Newark

Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 80 / DC Current Gain (hFE) = 60 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 20 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 1.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260

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