CADモデル
製造元 onsemi MJ11032G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi MJ11032Gの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Transistor NPN Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-204 (TO-3)
50 A, 120 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJ11032G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 2; 120 V; 50 A
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
MJ Series 120 V 50 A NPN High Current Darlington Silicon Transistor - TO-204
ON SEMI NPN DARLINGTON TRANSISTOR 50 A 120 V HFE:400 2-PIN TO-204
TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 300W; DC Collector Current: 50A; DC Current Gain hFE: 18000hFE; Transistor Case Style: TO-204; No
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-204-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Continuous Collector Current50 A
Current Rating50 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min400
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height8.51 mm
Length38.86 mm
Width26.67 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント