onsemi MJ11016G

Name: onsemi MJ11016G
Brand: onsemi
SKU: MJ11016G

30 A, 120 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

$ 2.987

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Onlinecomponents.com		MJ11016G	0	10	Bulk		4.590	2.950	2.900	2.880
Master Electronics		MJ11016G	0	10			4.590	2.950	2.900	2.880
Avnet	2	26K4505	0	1		7.430	5.030	3.100	3.100	3.100	6d
Future Electronics		MJ11016G	0	100	Tray			3.290	3.190	3.190

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Burklin Elektronik

Datasheet4ページ17年前

IHS

Newark

JRH Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MJ11016Gの詳細は販売業者から提供されます。

30 A, 120 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

onsemi

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin

IHS

MJ Series 120 V 30 A NPN High Current Darlington Silicon Transistor TO-204AA

Future Electronics

ON SEMI NPN DARLINGTON TRANSISTOR 30 A 120 V HFE:200 3-PIN TO-204

RS (Formerly Allied Electronics)

DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 30A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transistor Case

Farnell

Bipolar Transistor, Npn, 120V, To-204; Transistor Polarity:Npn; No. Of Pins:2Pins; Transistor Mounting:Through Hole; Operating Temperature Max:200°C; Product Range:-; Qualification:-; Collector Emitter Voltage Max:120V Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJ11016G.

Newark