CADモデル
製造元 onsemi MCH3333A-TL-H のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.079
Stock
156,723
1,414,325
Authorized Distributors
0
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SMD/SMT
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
-2 A
2 A
Threshold Voltage
-
-1.3 V
Rds On Max
215 mΩ
215 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
900 mW
-
Input Capacitance
240 pF
240 pF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2019-01-26
LTD Date2019-07-26
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
説明
onsemi MCH3333A-TL-Hの詳細は販売業者から提供されます。
Single P-Channel Power MOSFET, -30V, -2.0A, 215mΩ
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin MCPH T/R
Small Signal Field-Effect Transistor
MOSFET PCH 2.5V DRIVE SERIES
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight124.596154 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)-2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance240 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max215 mΩ
Rise Time9.7 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height900 µm