CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.127
$ 0.171
$ 0.171
Stock
651,000
1,237,836
1,237,836
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Surface Mount, Through Hole
Surface Mount, Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
35 V
35 V
35 V
Continuous Drain Current (ID)
5 mA
5 mA
5 mA
Drain to Source Resistance
50 Ω
50 Ω
50 Ω
Power Dissipation
350 mW
625 mW
625 mW
Gate to Source Voltage (Vgs)
-35 V
-35 V
-35 V
Input Capacitance
-
7 pF
7 pF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1982-11-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi J112の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag / JFET N-CH 35V 625MW TO92
Bulk Through Hole N-Channel Single JFET Transistor 5mA @ 15V 5A 625mW 35V
J112 Series 35 V 5 mA Through Hole N-Channel Switch - TO-92
N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51.
TRANSISTOR, JFET N TO-92; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 5V; Transistor Case Style: TO-92; No. of Pins: 3 Pin; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Idss Max: 5mA; Current Idss Min: 5mA; Current
TRANSISTOR, JFET, N, TO-92; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:5V; Power Dissipation Pd:350mW; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Application Code:SW; Current Idss Max:5mA; Current Idss Min:5mA; Current Ig:50mA; Device Marking:J112; Drain Source Voltage Vds:35V; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:m; Pin Format:m; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight200.998119 mg
Technical
Breakdown Voltage-35 V
Continuous Drain Current (ID)5 mA
Current5 A
Current Rating50 mA
Drain to Source Resistance50 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)35 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-35 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBox
Power Dissipation350 mW
Voltage35 V
Voltage Rating (DC)35 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント