CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 16 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 16 hours ago)
説明
onsemi IRF530Aの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 14 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Rail
N-Channel 100 V 0.11 Ohm Flange Mount Advanced Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance790 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max110 mΩ
Resistance110 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm