Infineon IRF530NPBF

Name: Infineon IRF530NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF530NPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 90Milliohms; ID 17A; TO-220AB; PD 70W; gFS 12S

$ 0.328

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF530NPBF	5,617	1		0.294	0.281	0.276	0.276	0.276	2d
Newark		IRF530NPBF	1,941	1		1.320	0.896	0.680	0.512	0.476
Future Electronics	2	IRF530NPBF	120,605	100	Tube			0.375	0.365	0.340
Arrow Electronics	3	IRF530NPBF	62,027	1		0.403	0.337	0.333	0.296	0.267
Rutronik		TMOSP11807	25,000	50				0.295	0.236	0.236	13h

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SOS electronic

Datasheet9ページ22年前

IHS

Upverter

Mouser

RS (Formerly Allied Electronics)

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1995-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

LTB Date2014-01-09

LTD Date2014-07-09

説明

Infineon IRF530NPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;TO-220AB;PD 70W;gFS 12S

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 0.09ohm; 70W; -55+175 deg.C; THT; TO220

Maritex

Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 17 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220AB

Jameco

Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 17 A, TO-220, IRF530NPBF

Burklin Elektronik

Single N-Channel 100 V 90 mOhm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Transistor MOSFET N-Ch. 17A/100V TO220 IRF 530 N PBF

Rapid Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

70W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 37nC@ 10 V 1N 100V 90m¦¸@ 9A,10V 17A 920pF@25V TO-220AB 9.02mm

UnikeyIC

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

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