価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | HUF76429S3ST | 800 | 1 | |||||||||
| Verical | HUF76429S3ST | 800 | 8 | |||||||||
| DigiKey | HUF76429S3STCT-ND | 2,421 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | HUF76429S3ST | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | HUF76429S3ST | 0 | 25 | Bulk |
CADモデル
製造元 onsemi HUF76429S3ST のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonIRFZ44ESTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRFZ44ESTRRPBF
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InfineonIRLZ44NSTRRPBF
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
説明
onsemi HUF76429S3STの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 44A, 25mΩ
N-Channel 60 V 44 A 25 mOhm SMT UltraFET Power Mosfet -TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Current47 A
Current Rating44 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time74 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.48 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 MΩ
Rise Time203 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.08 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント