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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-12-07

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

説明

onsemi FQPF22P10の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -13.2 A, 125 mΩ, TO-220F

onsemi

Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, P-CH, -100V, -13.2A, TO-220F-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -13.2A; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 0.096ohm; Rds(on) Tes; Available until stocks are exhausted

Farnell

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

画像

Conrad

iiiC

element14 APAC

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : -71.43%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)13.2 A

Current Rating-13.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage-100 V

Drain to Source Resistance125 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time110 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance1.5 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation45 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation45 W

Rds On Max125 mΩ

Rise Time170 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Voltage Rating (DC)-100 V

Dimensions

Height19.5 mm

Length10.36 mm

Width4.9 mm

データシート & ドキュメント

onsemi FQPF22P10のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。