CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 21 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 21 hours ago)
説明
onsemi FQP19N20Cの詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 19 A, 170 mΩ, TO-220
Transistor MOSFET N-Channel 200 Volt 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
N-Channel 200 V 0.17 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220-3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 19A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 19A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.08 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation139 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation139 W
Rds On Max170 mΩ
Resistance170 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント