CADモデル
製造元 onsemi FQD9N25TM-F085 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
説明
onsemi FQD9N25TM-F085の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TAPE REEL/250V N-channel MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W(Ta),55W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 20nC@ 10 V 1N 250V 420m¦¸@ 3.7A,10V 7.4A 700pF@25V TO-252AA 6.73mm*6.22mm*2.39mm
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supply.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max420 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns