onsemi FQD5N20LTM

Name: onsemi FQD5N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD5N20LTM

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 3.8 A, 1.2 Ω, DPAK

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FQD5N20LTM	0	582							5h
Farnell	2	FQD5N20LTM	0	5	Cut Tape		0.946*	0.708*	0.479*	0.381*	1d
Component Stockers USA		FQD5N20LTM	517			0.340	0.340	0.320	0.290	0.290	17h
Win Source		WS-FQD5N20LTM	5,000	80				0.725	0.483	0.483	4h
Worldway Electronics		FQD5N20LTM	18,968	7	Tape & Reel		0.247	0.239	0.227	0.227	3h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-09-13

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FQD5N20LTMの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 3.8 A, 1.2 Ω, DPAK

onsemi

Transistor, mosfet, n-Channel,200V V(Br)Dss,3.8A I(D),to-252Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQD5N20LTM

Newark

Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 200V, 3.8A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.94ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 37W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: QFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Farnell

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor