CADモデル
製造元 onsemi FDD6N25TM のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-02-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
説明
onsemi FDD6N25TMの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250 V, 4.4 A, 1.1 Ω, DPAK
N-Channel 250 V 1.1 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet DPAK
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
50W(Tc) 30V 5V@ 250µA 6nC@ 10 V 1individualNChannel 250V 1.1Ω@ 2.2A,10V 4.4A 250pF@25V TO-252AA SMD mount 2.52mm(height)
MOSFET, N TO-252 SMD; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:4.4A; Resistance, Rds On:1.1ohm; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:18A; No. of Pins:2; Power Dissipation:50mW; Voltage, Vds Max:250V
MOSFET, N-CH, 250V, 4.4A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V;
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance250 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation50 W
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time7 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント