onsemi FGL60N100BNTD

IGBT 1000V 60A 180W TO264 / Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Technical Drawing1ページ6年前

Newark

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

CADモデル

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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説明

onsemi FGL60N100BNTDの詳細は販売業者から提供されます。

IGBT 1000V 60A 180W TO264 / Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Win Source
FGL60N100 Series 1000 V 60 A Through Hole NPT Trench IGBT - TO-264-3L
Future Electronics
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,1kV V(BR)CES,60A I(C),TO-264
Newark
IGBT, NPT, TO-264; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.9V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1kV; Transistor Case Style:TO-264; No. of Pins:3Pins; Operatin
element14 APAC
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device offers the optimum performance for hard switching application such as UPS, welder applications.
Fairchild Semiconductor
IGBT, NPT, TO-264; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vces:1000V; Current Ic Continuous a Max:60A; Voltage, Vce Sat Max:2.9V; Power Dissipation:180W; Case Style:TO-264; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1000V; Current Ic @ Vce Sat:60A; Current, Icm Pulsed:120A; Power, Pd:180W; Time, Rise:320ns
Farnell
Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT technology show outstanding performance in conduction and switching characteristics as well as enhanced avalanche ruggedness. These devices are well suited for Induction Heating ( I-H ) applications Product Highlights: High Speed Switching Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A High Input Impedance Built-in Fast Recovery Diode
North Star Micro

画像

TME
Augswan
Newark
Farnell
iiiC
Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

  • FGL60N100BNTD.