CADモデル
製造元 onsemi FDS4470 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
関連部品
説明
onsemi FDS4470の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 12.5A, 9mΩ
40V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W(Ta) 30V，20V 5V@ 250µA 63nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 9mΩ@ 12.5A,10V 12.5A 2.659nF@20V SOIC-8 SMD mount 4.9mm*3.9mm*1.75mm
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:12.5A; On Resistance, Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.5 A
Current Rating12.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance965 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.9 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント