CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China, Philippines, Thailand, Usa
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
InfineonIRF7811AVPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
説明
Infineon IRF7469TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Single N-Channel 40 V 21 mOhm 23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 40V, 9A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.012ohm; Rds(; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Mosfet, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:2.5W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF7469TRPBF.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance17 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max17 mΩ
Resistance17 MΩ
Rise Time2.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm