onsemi FDPF12N60NZ

Name: onsemi FDPF12N60NZ
Brand: onsemi
SKU: FDPF12N60NZ

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220F

$ 1.091

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min
Avnet		FDPF12N60NZ	6,000	50			1.123	1.009	1.009	10h
Newark	2	FDPF12N60NZ	2,164	1	3.200	2.160	1.890	1.770	1.770
Verical	2	FDPF12N60NZ	1,000	50			1.718	1.200	1.200
Arrow Electronics		FDPF12N60NZ	3	1	1.431	1.431	1.431	1.431	1.431
Master Electronics		FDPF12N60NZ	2,000	50			1.460	1.015	0.971

在庫履歴

3か月間の傾向 : -25.76%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FDPF12N60NZのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Upverter

Technical Drawing1ページ5年前

Newark

IHS

Master Electronics

onsemi

在庫履歴

3か月間の傾向:

-25.76%

CADモデル

製造元 onsemi FDPF12N60NZ のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

onsemiFDPF12N60NZ

onsemiFQPF12N60C

Price @ 1000

$ 1.091

$ 1.238

Stock

300,170

125,370

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

650 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

Power Dissipation

39 W

51 W

Input Capacitance

1.676 nF

2.29 nF

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDPF12N60NZの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220F

onsemi

FDPF12N60NZ Series 600 V 12 A 650 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - TO-220F

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N CH, 600V, 0.53OHM, 12A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.53ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:39W; MSL:- ;RoHS Compliant: Yes

Newark

UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor