onsemi FDP2710

Name: onsemi FDP2710
Brand: onsemi
SKU: FDP2710

Transistor, N-channel, Powertrench Mosfet, 250V, 50A, 42.5MOHM, TO-220

$ 2.219

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	FDP2710	490	1		5.640	3.570	3.380	3.090	3.090
Arrow Electronics	FDP2710	8	1		3.055	3.055	3.055	3.055	3.055
Verical	FDP2710	8	4			1.817	1.817	1.817	1.817
DigiKey	FDP2710-ND	794	1	Tube	5.220	5.220	2.482	1.941	1.941
Onlinecomponents.com	FDP2710	0	200	Bulk				1.930	1.930

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IHS

Datasheet8ページ12年前

Master Electronics

onsemi

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サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDP2710の詳細は販売業者から提供されます。

TRANSISTOR, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 250V, 50A, 42.5MOHM, TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

250 V, 50 A, 42.5 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.0425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

画像

element14 APAC

TME

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)50 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance42.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time154 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance7.28 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation260 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation260 W

Rds On Max42.5 mΩ

Resistance42.5 MΩ

Rise Time252 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time112 ns

Turn-On Delay Time80 ns

Dimensions

Height16.51 mm

Length10.67 mm

Width4.83 mm

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