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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDP52N20の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200V, 52A, 49mΩ, TO-220

onsemi

FDP52N20 Series 200 V 52 A 0.049 Ohm Through Hole N-Channel MOSFET - TO-220-3

Future Electronics

MOSFET, N-Ch, 200V, 52A, 49mΩ@26A,10V, 2.9nF@25V, TO-220-3, TH, 9.4mm H

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

画像

TME

Newark

Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDP52N20.
FDP52N20..

在庫履歴

3か月間の傾向 : +95.48%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageTO-220AB

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)52 A

Current Rating52 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance49 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time29 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance2.9 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation357 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation357 W

Rds On Max49 mΩ

Resistance49 MΩ

Rise Time175 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time48 ns

Turn-On Delay Time53 ns

Voltage Rating (DC)200 V

Dimensions

Height20.4 mm

Length10.1 mm

Width4.7 mm