onsemi FDMS86300DC

Name: onsemi FDMS86300DC
Brand: onsemi
SKU: FDMS86300DC

MOSFET, N CH, 80V, 0.0026OHM, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity: N Channel; Co

$ 1.39

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMS86300DC	9,000	3K						1.341	22h
Newark		FDMS86300DC	3,359	1		3.860	2.530	1.770	1.570	1.570
Verical		FDMS86300DC	3,000	242					1.388	1.300
Rochester Electronics		FDMS86300DC	3,000					1.240	1.110	1.040	20h
DigiKey	2	FDMS86300DCFSCT-ND	369	1	Cut Tape	4.010	2.627	1.840	1.519	1.519

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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-03-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDMS86300DCの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, N CH, 80V, 0.0026OHM, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Co

Newark

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 56, 80V, 110A, 3.1mΩ

onsemi

Dual N-Channel 80 V 5 mOhm 84 nC 125 W PowerTrench SMT Mosfet - PQFN-8

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 76 A, 0.0026 ohm, Power 56, Surface Mount

Avnet

N-CHANNEL DUAL 56 POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 80V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N CH, 80V, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:76A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.3V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Farnell