Infineon IPB067N08N3GATMA1

Name: Infineon IPB067N08N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

$ 1.41

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	2	IPB067N08N3GATMA1	0	5	Cut Tape		1.895*	1.404*	0.939*	0.905*	5h
Mouser		726-IPB067N08N3G	5	1	Tape & Reel	3.810	2.490	1.950	1.410	1.410
Microchip USA		IPB067N08N3GATMA1	133	300					8.877	8.877	1d
Component Stockers USA		IPB067N08N3GATMA1	27,149			2.890	2.400	1.910	0.840	0.950	3d
Win Source		WS-IPB067N08N3GATMA1	20	30				1.637	1.330	1.330	19h

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Arrow Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-06-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IPB067N08N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

IPB067N08N3G Series 80 V 80 A 7 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-263-3

Future Electronics

OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:136W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:136W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

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