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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-02-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDMS86105の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 26A, 34mΩ

onsemi

MOSFET 2W 20V 700mV@250μA 27nC@4.5V N-Channel 20V 29mΩ@6A,4.5V 6.6A;5.3A 900pF@15V PQFN-8 SMD 1.1mm H

UnikeyIC

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N CH, 100V, 26A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:48W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

画像

Farnell

Newark

LZChips

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDMS86105.

在庫履歴

3か月間の傾向 : +294%

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight68.1 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance34 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2.4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance645 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation48 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max34 mΩ

Rise Time2.1 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.8 V

Turn-Off Delay Time12 ns

Turn-On Delay Time6.7 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5 mm

Width6 mm