onsemi FDMS5672

Name: onsemi FDMS5672
Brand: onsemi
SKU: FDMS5672

N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 60V, 22A, 11.5mΩ

$ 2.081

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDMS5672	15,000	3K						1.801	10h
Verical		FDMS5672	92	4			2.317	1.855	1.855	1.855
Arrow Electronics		FDMS5672	92	1		2.828	2.317	1.855	1.855	1.855
DigiKey	2	FDMS5672CT-ND	2,771	1	Cut Tape	5.060	3.352	2.381	2.081	2.081
Newark	2	FDMS5672	0	1	Cut Tape	4.870	3.220	2.290	2.140	2.140

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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-12-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDMS5672の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 60V, 22A, 11.5mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Fet 60V 11.5 Mohm Mlp Rohs Compliant: Yes

Newark

onsemi NMOS UltraFET, Vds=60 V, 10.6 A, MLP8, , 8

UnikeyIC

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

DigiKey

UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N, SMD, MLP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):11.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:10.6A; Package / Case:Power 56; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:60A; SMD Marking:FDMS5672; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3.2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC