CADモデル
製造元 onsemi FDMS039N08B のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonBSC036NE7NS3GATMA1
2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
InfineonBSC047N08NS3GATMA1
80V N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING AND DC-DC CONVERTERS
説明
onsemi FDMS039N08Bの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 100A, 3.9mΩ
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 80V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time42 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm