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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2016-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2021-10-08

LTD Date2022-04-08

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDMD8530の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 201A 8-Pin PQFN T/R

Avnet Japan

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 201A, 1.25mΩ

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 35A / Mosfet Array 30V 35A 2.2W Surface Mount Power56

Win Source

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 201A, PQFN-8L; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 201A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 770µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vg

Farnell

This device includes two 30V N-Channel MOSFETs in a dual power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDMD8530.

在庫履歴

3か月間の傾向 : -5.23%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight94.85095 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)201 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance1.25 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)30 V

Element ConfigurationDual

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance10.395 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation78 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation2.2 W

Rds On Max1.25 mΩ

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.5 V

Turn-Off Delay Time71 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Dimensions

Height800 µm