Infineon IRLR7807ZPBF

Name: Infineon IRLR7807ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR7807ZPBF

IRLR7807ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 43 A, 30 V, 3-Pin DPAK

$ 1.93

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR7807ZPBF	0	5	Bulk		2.140	1.930	1.930	1.930	21h
Farnell	IRLR7807ZPBF	0	1		1.045*	0.851*	0.598*	0.598*	0.598*	1d
Win Source	WS-IRLR7807ZPBF	20	80				0.626	0.417	0.417	6h
Worldway Electronics	IRLR7807ZPBF	10,245	7	Tube		0.668	0.648	0.614	0.614	5h
Anlinkda	IRLR7807ZPBF	42,319			0.130	0.116	0.106	0.102	0.100	13h

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iiiC

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-04-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRLR7807ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRLR7807ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 43 A, 30 V, 3-Pin DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 13.8 mOhm 7 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0138ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level

Infineon

MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:40W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:43A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Pd:40W; Pulse Current Idm:170A; SMD Marking:IRLR7807Z; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC